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产品特性
- 内部集成650V的GaN开关管和半桥驱动器
- GaN导阻电阻150mΩ
- 无反向恢复损耗
- 内置LDO，使驱动电压更稳定可靠
- 高低边独立 UVLO 保护功能
- 内部可调死区时间
- 内置自举二极管
- Operation ambient temperature:-40℃ ~125℃
- 封装形式: QFN (9*9mm)
应用场景
- 图腾柱PFC、ACF和LLC等半桥或全桥拓扑
- 适配器高密电源
- 光伏、电机驱动及新能源领域
功能框图
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技术文章
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纳芯微提供全场景GaN驱动IC解决方案
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